In summary, we demonstrate the depe

In summary, we demonstrate the dependence of annealing
temperature on the evolution of microstructure, in-plane residual
stress, and crystallographic orientation of the rapid-annealed FePt
films. The stress-driven PMA and (001) texture of the L10 FePt films
were achieved at Ta  700
C. By microstructural observation and
in-plan stress measurement, we provide an unambiguous evidence
for the tensile stress which partly originates from the annihilation
of grain boundaries of L10 FePt grains. The progress of L10 ordering
causes the relaxation of the in-plane tensile stress of the FePt. On
the other hand, the surface oxidation of the L10 FePt was proposed,
for the first time, to be the unexpected second source of the tensile
stress during RTA. This fundamental study provides useful knowledge
for understanding the stress behavior of FePt during RTA by
characterizing the microstructure and crystallographic structure

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในสรุป เห็นผู้ประท้วงการพึ่งพาของหลอมอุณหภูมิในการวิวัฒนาการของโครงสร้างจุลภาค เหลือแบบแขวนความเครียด และแนว crystallographic ของ FePt อบอย่างรวดเร็วภาพยนตร์ สารประกอบซึ่งความเครียดและเนื้อ (001) ของฟิล์ม L10 FePtแตะประสบความสำเร็จที่จะ 700 c โดยสังเกตจุลภาค และในแผนการวัดความเครียด เรามีหลักฐานชัดเจนสำหรับความเค้นแรงดึงซึ่งบางส่วนเกิดจากการทำลายล้างของขอบเขตเนื้อหาของธัญพืช L10 FePt ความคืบหน้าของการสั่งซื้อ L10สาเหตุของความเครียดในมาแรงของ FePt เรามืออื่น ๆ ออกซิเดชั่นที่ผิวของ L10 FePt ถูกนำเสนอครั้งแรก จะแหล่งวินาทีที่ไม่คาดคิดของแรงดึงความเครียดระหว่าง RTA การศึกษาขั้นพื้นฐานนี้ให้ความรู้ที่เป็นประโยชน์ทำความเข้าใจการทำงานความเครียดของ FePt ระหว่าง RTA โดยโครงสร้างจุลภาคและโครงสร้าง crystallographic สามารถ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โดยสรุปเราสาธิตการพึ่งพาอาศัยกันของอบอ่อนอุณหภูมิที่มีต่อวิวัฒนาการของโครงสร้างจุลภาคที่ตกค้างในระนาบความเครียดและการวางแนวcrystallographic ของอย่างรวดเร็ว Fept อบภาพยนตร์ ความเครียดเป็นตัวขับเคลื่อนและ PMA (001) พื้นผิวของ L10 ภาพยนตร์ Fept ได้ประสบความสำเร็จในตา? 700? C. โดยการสังเกตและจุลภาคในระนาบวัดความเครียดที่เรามีให้หลักฐานที่ชัดเจนสำหรับความเครียดแรงดึงซึ่งส่วนหนึ่งมาจากการทำลายล้างของข้าวเขตแดนของเมล็ดL10 Fept ความคืบหน้าของการสั่งซื้อ L10 เกิดการผ่อนคลายในระนาบความเครียดแรงดึงของ Fept ที่ ในทางกลับกันการเกิดออกซิเดชันพื้นผิวของ L10 Fept ที่ถูกนำเสนอเป็นครั้งแรกที่จะเป็นแหล่งที่มาของแรงดึงที่สองที่ไม่คาดคิดเกิดความเครียดในช่วง RTA การศึกษาขั้นพื้นฐานให้ความรู้ที่เป็นประโยชน์สำหรับการทำความเข้าใจพฤติกรรมของความเครียดในช่วง Fept RTA โดยพัฒนาการจุลภาคและโครงสร้างผลึก